台积电今日宣告，N7+ 7nm+工艺现已大批量供应给客户，这是该公司甚至全工业首个商用EUV极紫外光刻技能的工艺。
EUV光刻选用波长为10-14nm的极紫外光作为光源，可使曝光波长直接降到13.5nm，研制，推进更先进工艺。
EUV光刻技能早在20世纪80年代就现已研制出来，开始方案用于70nm工艺，但光刻机目标一向达不到需求，加之本钱居高不下，芯片厂商不得不引进沉溺式光刻、两层甚至多重曝光来开发新工艺。
依照台积电的说法，他们的EUV光刻机现已能够在日常生产中安稳输出超越250W的功率，彻底能够满意现在以及未来新工艺的需求。
三星7nm工艺也在引进EUV，不过发展比较台积电要落后许多。
台积电表明，7nm+的量产速度也是公司史上最快的之一，本年第二季度就已量产，并且在良品率上敏捷达到了现已量产1年多的7nm工艺的水平。
7nm+比较于7nm在性能上可带来15-20％的晶体管密度提高，一起改进了功耗。
台积电7nm+工艺现已应用于多家客户的产品，但官方没有给出详细名单，现在仅有可彻底承认的便是华为麒麟990 5G，AMD下一代Zen 3架构也一向标示为7nm+工艺。
接下来，台积电将持续奔向6nm、5nm、3nm、2nm，其间6nm(N6)相当于7nm的升级版，规划规矩彻底兼容，持续选用EUV技能，晶体管密度可比7nm提高18％，估计下一年第一季度试产，下一年末量产。
